HV LED实现微晶粒串并联 开创照明高效率时代

传统DC LED芯片是在大电流低电压下工作，为提升使用电压，一般采用集成封装(COB)结构，即多颗芯片串并联。虽然目前LED照明应用仍然以DC驱动为大宗，但是该技术经由AC/DC转换能源后驱动灯具照明，不仅增加了应用成本，也增加了产品的复杂度，使整体节能效益降低。

HV LED直接在芯片级就实现了微晶粒的串并联，使其在低电流高电压下工作，将简化芯片固晶、键合数量，封装成本降低。HV芯片是在单位面积内形成多颗微晶粒集成，避免了芯片间BIN内波长、电压、亮度、跨度等带来的一致性问题。

近年来，LED照明灯具的设计更倾向于简便化和轻薄化，而高压芯片以其灵活性、多样性及其低成本性等优势为市场所看好。

与传统DC LED功率芯片相比，HVLED芯片具有封装成本低、暖白光效高、驱动电源效率高、线路损耗低等优势。一颗传统的1WDCLED芯片采用350mA驱动，电压为3.4V左右，试定电压为220V，需要使用60～70颗芯片，而电流达到2×104mA左右，在这种室温条件下需要使用电压转接器，降低电流量。而一颗HV芯片电流为20mA，电压为50V，在试定电压220V，4～5颗芯片，电流在100mA以下，可以省掉变压器，节约成本，提高芯片的一致性。

由此可以看出，同样输出功率的高压LED在工作时耗散的功率要远低于低压LED，这也意味着散热铝外壳的成本可大大降低。按照目前的产品来说，高压芯片的制造成本比低压成本少10%～30%。

高压芯片节省成本是多方面的。高压芯片不仅能降低驱动电路和变压器等外围成本，还能节省工艺成本。此外，由于低压芯片使用变压器降压的过程中会有耗能损失，高压芯片没有能耗损失，可以进一步提高光效。

随着技术难题的突破，高压芯片有望成为未来芯片市场主流，但是其本身所具有的技术难度和工艺水准也让很多企业望而生畏。不过，随着未来高压芯片的普及，研发成本的降低，HVLED芯片本身具有成本优势的高压芯片价格也将得到进一步降低。